中国开始量产光刻机 CNBC点出1大致命伤

ODDO BHF股票研究主管Stephane Houri告诉CNBC：“我会对此持保留态度，因为（中国）所做的事情可能仅限于非常低阶的领域。”

谈到中国DUV曝光机的性能，半导体制造商关注的重点是良率，它指的是制程中可生产的可用芯片数量。所有代工厂的目标都是实现最高的良率。目前尚不清楚中国厂商使用自主研发的DUV能否达到或超过ASML设备的芯片良率。如果良率远低于ASML设备，可能会阻碍中国国产DUV的普及应用。

中国实现DUV曝光机国产化的消息传出后，ASML股价当日下跌8.4%。尽管美国对中国半导体出口实施管制，但市场预期中国在自主研发曝光机设备方面取得进展，似乎影响了投资者情绪。

面对市场的恐慌抛售，摩根大通分析师直言市场“过度反应”；半导体分析师陆行之剖析，短期内虽难以撼动ASML地位，但长线“国产替代”效应仍是隐忧。

据了解，该设备的研发主体与其说是单一公司，不如说是一个在地化联合体。资料显示，该设备的研发是由多家中国企业的深潜器研发机构整合完成的。

业内人士认为中国制造的曝光机设备与ASML的设备之间存在显著的技术差距。（路透）

业内人士认为，除上海宇量昇科技公司、深圳市新凯来公司、上海微电子设备公司（SMEE）外，华为和清华大学的一个研究团队也参与这项技术的研发。新凯来是一家由华为前员工创立的半导体设备制造商，被中国政府列为半导体自主研发策略的重点企业之一。

资讯显示，这批设备计划供应给中芯国际、长江存储和华虹半导体等中国主要芯片制造商。由于美国出口管制，中国芯片企业无法获得极紫外光曝光机（EUV）设备，因此计划将多重曝光制程应用于浸没式DUV设备，以继续生产智慧型手机和人工智慧芯片。

曝光机设备可分为极紫外线 （EUV） 系统和深紫外线 （DUV） 系统，其中DUV主要用于10奈米及以上的制程。虽然EUV 在尖端制程中的应用更为广泛，但DUV在成熟制程和一些先进制程中也拥有稳定的市场需求。

自2019年以来，美国一直向荷兰政府施压，要求限制ASML向中国出口EUV设备，并于2023年将尖端的浸没式DUV设备也纳入管制范围。

然而，业内人士仍然认为中国制造的设备与ASML的设备之间存在显著的技术差距。ASML每年生产超过130套浸没式深潜器系统，而中国设备今年的产量目标仍只有五套左右。其技术水平与ASML早期浸没式深潜设备类似，分析表明，在精度、产量和设备可靠性方面，中国设备仍存在多年的差距。

本文转自：TNT时报